Samsung розробила першу в світі 5-нм пам’ять MRAM

17.06.2026, 17:02 expert.com.ua

Південнокорейська корпорація Samsung Electronics офіційно закріпила статус технологічного лідера у сфері розробки пам’яті наступного покоління. На престижному міжнародному симпозіумі IEEE VLSI 2026 компанія вперше у світі продемонструвала успішні результати проектування базової структури комірки 5-нанометрової вбудованої магніторезистивної пам’яті з довільним доступом (embedded MRAM).

Анонс відбувся всього через чотири місяці після того, як у лютому на ISSCC 2026 Samsung верифікувала готовність 8-нанометрового вузла. Компанія впевнено рухається за своєю довгостроковою b2b-стратегією, підтвердивши намір запустити повноцінне масове виробництво 5-нм MRAM уже у 2027 році.

Магніторезистивна пам’ять (MRAM) вважається головним претендентом на роль «універсальної пам’яті» майбутнього завдяки унікальному поєднанню швидкості DRAM та фундаментальних властивостей енергонезалежності Flash:

Енергонезалежність (Non-Volatility): На відміну від класичної оперативної пам’яті (DRAM), яка працює на базі електричних конденсаторів і потребує постійного примусового оновлення заряду мікросхем кожні кілька мілісекунд, MRAM базується на варіаціях магнітного опору в вузлах MTJ (Magnetic Tunnel Junctions). Вона здатна надійно зберігати записану інформацію у вимкненому стані майже необмежений час, що повністю ліквідує втрати енергії в режимі очікування (Standby Power).

Подолання фізичного бар’єра: Традиційна вбудована флеш-пам’ять (eFlash / NOR-тип) повністю зупинилася в масштабуванні на рівні 28-22 нанометрів через фізичну неможливість подальшого зменшення ізолюючих шарів. MRAM нативно долає цей бар’єр, дозволяючи створювати надщільні чіпи на базі передових техпроцесів аж до 5 нанометрів.

Презентована 5-нанометрова MRAM розроблялася з прицілом на жорсткі b2b-вимоги автомобільної промисловості (автопілоти, системи допомоги водію ADAS, блоки керування електромобілями) та бортових систем обробки ШІ-алгоритмів на межі обчислень (Edge AI).

Ключовим досягненням інженерів Samsung став безпрецедентний робочий температурний діапазон кристала: від мінус 40 °C до плюс 150 °C. Це повністю задовольняє жорсткі критерії вищого світового автомобільного стандарту надійності AEC-Q100.

Новинка демонструє колосальну стійкість до температурної деградації та зносу під час агресивних циклів перезапису. Для порівняння: раніше випущена 8-нм версія eMRAM уже показала приріст швидкості запису на 62,5% порівняно з 14-нм поколінням та рекордну щільність зберігання на рівні 19,94 Мбіт на квадратний міліметр. У травні поточного 2026 року чіпи передового штучного інтелекту на базі 8-нм MRAM від партнерів Samsung (стартапів SEMIFIVE та ICY Tech) успішно завершили фінальну фазу проектування та виробництва стрічки (Tape-out), що підтверджує комерційну життєздатність магнітної технології.

Ринок передової вбудованої MRAM у 2026 році офіційно консолідувався у форматі дуополії. За даними аналітичного агентства Global Market Insights, Samsung утримує перше місце у світі з часткою ринку 14,3%, а тайваньська TSMC дихає в спину з показником 11.9%.

У боротьбі за 5-нанометровий вузол 2027 року компанії обрали кардинально різні інженерні стратегії:

Стратегія Samsung: Послідовний, еволюційний рух через проміжні архітектурні вузли. Компанія плавно пройшла етапи 28-нм, 14-нм, запустила 8-нм у масове виробництво і тепер використовує накопичений практичний досвід кремнієвих пластин як фундамент для 5-нм.

Стратегія TSMC: Радикальний стрибок (Leapfrog). Тайваньський гігант валідував технологію на рівні 12-нм, після чого прийняв рішення повністю пропустити 8-нанометровий етап і одразу розробляти 5-нм структуру, намагаючись зекономити на проміжних витратах. Чия ставка виявиться виграшною — ринок побачить уже за рік під час розгортання комерційних замовлень.

Для HiTech Expert ми робимо фінальний стратегічний підсумок: запуск 5-нм MRAM від Samsung Electronics — це закладання фундаменту для автономного транспорту наступного десятиліття. Класична архітектура комп’ютерів фон Неймана, де процесор постійно ганяє гігабайти даних туди-сюди між окремими платами логіки та енергозалежної пам’яті, витрачає занадто багато часу та світла. Енергонезалежна MRAM на 5 нанометрах дозволяє реалізувати концепцію обчислень безпосередньо в пам’яті (In-Memory Computing). Розумні автомобілі та робототехніка зможуть миттєво обробляти гігантські масиви даних із сенсорів та камер безпосередньо у внутрішніх реєстрах ШІ-чіпа з нульовою затримкою.

З бізнесової точки зору, феноменальна швидкість зміни вузлів від 8-нм до 5-нм доводить, що Samsung Foundry кинула всі вільні R&D-ресурси на цей напрямок, щоб випередити TSMC. Для українського технологічного сектора та учасників національного ШІ-аудиту від AI HOUSE цей тренд демонструє вектор розвитку мікроконтролерів (MCU). Розробляючи софт для Edge AI, розумних систем обліку чи MilTech-дронів, уже сьогодні варто враховувати, що залізо переходить на енергонезалежні рейки, де поняття “standby-енергоспоживання” назавжди йде в історію.

Читати повністю…