Micron представила план розвитку DRAM і 3D NAND до 2030 року
Micron оприлюднила дорожню карту розвитку оперативної пам’яті DRAM та флешпам’яті 3D NAND на найближчі роки. Компанія планує застосовувати з’єднання пластин, літографію High-NA EUV, нові матеріали та розвивати тривимірну DRAM. Про це повідомляє Tom's Hardware.
Виробник також має намір розширити лінійку кастомізованих DRAM і NAND-рішень. Такий підхід Micron пов’язує зі зростанням потреб розробників систем штучного інтелекту, яким потрібні пам’ять і накопичувачі, оптимізовані для конкретних процесорних архітектур та робочих навантажень.
Micron відмовилася від планів випускати DRAM-комірки формату 4F², пояснивши це відсутністю життєздатного шляху подальшого масштабування. Натомість компанія продовжить розвиток технологій на базі комірок 6F².
Поточний техпроцес 1γ уже перебуває у масовому виробництві та став першим DRAM-вузлом Micron із використанням EUV-літографії. Наступний процес 1δ проходить етап нарощування виходу придатної продукції, а його масове виробництво заплановане на другу половину 2027 року. Компанія очікує, що щільність бітів у 1δ зросте приблизно на 20% порівняно з 1γ.
Для 1δ Micron передбачає використання вдосконаленої CMOS-технології high-k metal gate, нових матеріалів, контролю процесів на ангстремному рівні та інтелектуального виробничого обладнання. Цей техпроцес планують застосовувати для DDR, LPDDR, графічної пам’яті, HBM5, вертикальної HBM та вертикальної пам’яті для периферійного ШІ.
Наступний процес 1ε має використовувати з’єднання пластин, що дасть змогу виготовляти різні структури на окремих пластинах і поєднувати їх. Технологія ζÅ, яка перебуває на ранньому етапі розробки, передбачає впровадження High-NA EUV для подальшого зменшення критичних розмірів. Micron не назвала термінів її масового виробництва.
Паралельно компанія розробляє два покоління тривимірної DRAM — 3D1 і 3D2. На відміну від планарної пам’яті, така архітектура має використовувати вертикальний простір для розміщення більшої кількості комірок на заданій площі. Micron планує запровадити її тоді, коли технологія буде конкурентною за собівартістю та продуктивністю.
Починаючи з HBM4E, Micron планує пропонувати стандартні й кастомізовані HBM-продукти. Кастомізована HBM4E може дозволити клієнтам зменшити ширину інтерфейсу введення-виведення та інтегрувати додаткову логіку в базовий кристал пам’яті. Далі в дорожній карті згадано кастомізовану HBM5E, вертикальну HBM і вертикальну пам’ять для периферійних ШІ-систем.
- Останні
- Популярні
-
-
-
-
-
- Листопад, 04
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Новини по днях
5 листопада 2026
