У Китаї вакуумні флуктуації підвищили критичну температуру NbSe2 на 5,4% — ScienceDaily
У Китаї дослідники під керівництвом фахівців Університету науки і технологій Китаю продемонстрували, що квантові флуктуації вакууму можуть посилювати надпровідність. Критична температура шестишарового пристрою з диселеніду ніобію (NbSe2) зросла на величину до 5,4%, повідомляє ScienceDaily.
Команда помістила NbSe2 у терагерцову «темну» порожнину з розщепленим кільцевим резонатором. Така система змінює електромагнітне середовище навколо матеріалу та, за поясненням авторів, може суттєво посилювати вакуумні флуктуації, які у вільному просторі зазвичай надто слабкі для помітного впливу на макроскопічні системи конденсованої речовини.
Науковці порівняли надпровідні властивості NbSe2 всередині порожнини й поза нею. Вони зафіксували підвищення критичної температури — температури, нижче якої матеріал переходить у надпровідний стан. Поблизу цього переходу також суттєво зросли критичний струм і критичне магнітне поле.
Більше актуальних новин читайте у Telegram-каналі UA.News.
Автори змінювали геометрію й характерну частоту порожнини, товщину матеріалів, діелектричні компоненти та металеві смужки. За їхніми висновками, ефект не пояснюється деформацією матеріалу, його деградацією, неоднорідністю або металевим екрануванням.
Посилення надпровідності мало резонансний характер і досягало піку за певної частоти порожнини. Теоретична модель, розроблена групою Ціндуна Цзяна за участі Френка Вільчека, припускає, що надпровідний стан взаємодіє з віртуальними фотонами порожнини. За цією інтерпретацією, така взаємодія знижує енергію надпровідного стану та робить його стабільнішим.
Дослідники називають цей підхід безконтактним способом керувати квантовими станами матерії: матеріал не потрібно безпосередньо збуджувати зовнішнім джерелом енергії, натомість змінюється його вакуумне електромагнітне оточення. Подальша оптимізація резонаторів і матеріалів може посилити та розширити застосування методу для інших квантових систем.
- Останні
- Популярні
Новини по днях
3 жовтня 2026
