Наш веб-сайт використовує файли cookie, щоб забезпечити ваш досвід перегляду та відповідну інформацію. Перш ніж продовжувати користуватися нашим веб-сайтом, ви погоджуєтеся та приймаєте нашу політику використання файлів cookie та конфіденційність. cookie та конфіденційність

Китай розробив транзистори GAA рівня 3 нм для DUV-літографії, але реально досяжна лише продуктивність 5 нм

kramatorsk.info

Китай розробив транзистори GAA рівня 3 нм для DUV-літографії, але реально досяжна лише продуктивність 5 нм

Дослідники з Китайської академії наук розробили транзистори з круговим затвором (GAA), що теоретично здатні забезпечити продуктивність, порівняну з 3-нанометровим техпроцесом.Про це повідомляє ITC.ua.Транзистори є мікроскопічними… Читайте подробиці на Kramatorsk.info

  • Останні
Більше новин

Новини по днях

Сьогодні,
18 вересня 2026

Новини на тему

Більше новин