Китай розробив транзистори GAA рівня 3 нм для DUV-літографії, але реально досяжна лише продуктивність 5 нм
Дослідники з Китайської академії наук розробили транзистори з круговим затвором (GAA), що теоретично здатні забезпечити продуктивність, порівняну з 3-нанометровим техпроцесом.Про це повідомляє ITC.ua.Транзистори є мікроскопічними… Читайте подробиці на Kramatorsk.info
- Останні
- Популярні
Більше новин
Більше новин
Новини по днях
Сьогодні,
18 вересня 2026
18 вересня 2026
Новини на тему
Більше новин